저에너지 전자 회절(Low-energy electron diffraction, LEED)은 저에너지 전자(30~200eV)의 시준빔을 충격하고 회절된 전자를 형광등 화면의 점으로 관찰하여 단결정 물질의 표면 구조를 결정하는 기술이다.
LEED는 다음 두 가지 방법 중 하나로 사용될 수 있다.
질적으로 회절 패턴이 기록되고 지점 위치를 분석하면 표면 구조의 대칭성에 대한 정보를 얻을 수 있다. 흡착물질이 존재하는 경우 정성 분석을 통해 기질 단위 셀에 대한 흡착물질 단위 셀의 크기 및 회전 정렬에 대한 정보를 밝힐 수 있다.
정량적으로, 회절된 빔의 강도는 입사 전자빔 에너지의 함수로 기록되어 소위 I-V 곡선을 생성한다. 이론적 곡선과 비교하여 이는 표면의 원자 위치에 대한 정확한 정보를 제공할 수 있다.
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